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- Número de peza:
- TPCF8102(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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TPCF8102(TE85L,F,M Atributos do produto
Número de peza :
TPCF8102(TE85L,F,M
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
Serie :
U-MOSIII
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
19nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1550pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
VS-8 (2.9x1.5)
Paquete / Estuche :
8-SMD, Flat Lead
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