Número de peza :
TPC6006-H(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.9A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
251pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
VS-6 (2.9x2.8)
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6