APT10090BLLG Prezos (USD) [5235unidades de stock]
- 1 pcs$9.10384
- 10 pcs$8.27546
- 100 pcs$6.69110
- Número de peza:
- APT10090BLLG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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APT10090BLLG Atributos do produto
Número de peza :
APT10090BLLG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Serie :
POWER MOS 7®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1969pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
298W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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