ON Semiconductor - FDB8160

KEY Part #: K6412677

[13363unidades de stock]


    Número de peza:
    FDB8160
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FDB8160 electronic components. FDB8160 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB8160, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB8160 Atributos do produto

    Número de peza : FDB8160
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
    Serie : PowerTrench®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 80A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 243nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 11825pF @ 15V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 254W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB
    Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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