TK31N60W,S1VF Prezos (USD) [11067unidades de stock]
- 1 pcs$4.09851
- 30 pcs$3.35902
- 120 pcs$3.03128
- 510 pcs$2.53971
- Número de peza:
- TK31N60W,S1VF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 600V 30.8A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Categorías familiares:
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TK31N60W,S1VF Atributos do produto
Número de peza :
TK31N60W,S1VF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3000pF @ 300V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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