TK31J60W5,S1VQ Prezos (USD) [12995unidades de stock]
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- 25 pcs$3.48823
- Número de peza:
- TK31J60W5,S1VQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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TK31J60W5,S1VQ Atributos do produto
Número de peza :
TK31J60W5,S1VQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3000pF @ 300V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
230W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3P(N)
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
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