Nexperia USA Inc. - PMZB350UPE,315

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Número de peza:
PMZB350UPE,315
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB350UPE,315 Atributos do produto

Número de peza : PMZB350UPE,315
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrición : MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1.9nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 127pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : DFN1006B-3
Paquete / Estuche : 3-XFDFN