IPP65R190CFDAAKSA1 Prezos (USD) [37177unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPP65R190CFDAAKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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IPP65R190CFDAAKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPP65R190CFDAAKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
17.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 700µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1850pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
151W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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