SISH106DN-T1-GE3 Prezos (USD) [114968unidades de stock]
- 1 pcs$0.32172
- Número de peza:
- SISH106DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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SISH106DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SISH106DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8SH
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8SH
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