Número de peza :
IPT111N20NFDATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
96A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 267µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
87nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7000pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
375W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-HSOF-8-1
Paquete / Estuche :
8-PowerSFN