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- Número de peza:
- NVD4809NT4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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NVD4809NT4G Atributos do produto
Número de peza :
NVD4809NT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 11.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1456pF @ 12V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.4W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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