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- Número de peza:
- BSB017N03LX3 G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSB017N03LX3 G electronic components. BSB017N03LX3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB017N03LX3 G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSB017N03LX3 G Atributos do produto
Número de peza :
BSB017N03LX3 G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
32A (Ta), 147A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
102nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7800pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Estuche :
3-WDSON
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