Microsemi Corporation - APT17F100B

KEY Part #: K6397552

APT17F100B Prezos (USD) [7767unidades de stock]

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Número de peza:
APT17F100B
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT17F100B Atributos do produto

Número de peza : APT17F100B
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 17A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4845pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 625W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247 [B]
Paquete / Estuche : TO-247-3

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