BSB056N10NN3GXUMA1 Prezos (USD) [59902unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSB056N10NN3GXUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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BSB056N10NN3GXUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSB056N10NN3GXUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Ta), 83A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5500pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Estuche :
3-WDSON
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