IGLD60R070D1AUMA1 Prezos (USD) [5863unidades de stock]
- 1 pcs$7.02907
- Número de peza:
- IGLD60R070D1AUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IC GAN FET 600V 60A 8SON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IGLD60R070D1AUMA1 electronic components. IGLD60R070D1AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGLD60R070D1AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGLD60R070D1AUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IGLD60R070D1AUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IC GAN FET 600V 60A 8SON
Serie :
CoolGaN™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
15A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
380pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
114W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-LSON-8-1
Paquete / Estuche :
8-LDFN Exposed Pad
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