Número de peza :
TP65H035WSQA
Descrición :
GANFET N-CH 650V 47A TO247-3
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
47A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1500pF @ 400V
Disipación de potencia (máx.) :
187W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3