Toshiba Semiconductor and Storage - TK6P53D(T6RSS-Q)

KEY Part #: K6420124

TK6P53D(T6RSS-Q) Prezos (USD) [162137unidades de stock]

  • 1 pcs$0.25219
  • 2,000 pcs$0.25094

Número de peza:
TK6P53D(T6RSS-Q)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF and Transistores - Finalidade especial ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6P53D(T6RSS-Q) electronic components. TK6P53D(T6RSS-Q) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6P53D(T6RSS-Q), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6P53D(T6RSS-Q) Atributos do produto

Número de peza : TK6P53D(T6RSS-Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
Serie : π-MOSVII
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 525V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 600pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 100W (Tc)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63