Número de peza :
TK6P53D(T6RSS-Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
525V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
600pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
100W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D-Pak
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63