SI8823EDB-T2-E1 Prezos (USD) [767890unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI8823EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos: rectificadores de ponte and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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SI8823EDB-T2-E1 Atributos do produto
Número de peza :
SI8823EDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
Serie :
TrenchFET® Gen III
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
580pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
900mW (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paquete / Estuche :
4-XFBGA
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