IPN60R360P7SATMA1 Prezos (USD) [198601unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPN60R360P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: TRIAC, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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IPN60R360P7SATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPN60R360P7SATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Serie :
CoolMOS™ P7
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
555pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
7W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223
Paquete / Estuche :
TO-261-3
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