Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 10V
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1425pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)