IRFH5215TRPBF Prezos (USD) [76104unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRFH5215TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 150V 5A PQFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFH5215TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFH5215TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 150V 5A PQFN
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5A (Ta), 27A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
58 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1350pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-VQFN Exposed Pad
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