STFW38N65M5 Prezos (USD) [16507unidades de stock]
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- 10 pcs$2.99940
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- 500 pcs$2.06634
- 1,000 pcs$1.79971
- Número de peza:
- STFW38N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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STFW38N65M5 Atributos do produto
Número de peza :
STFW38N65M5
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
Serie :
MDmesh™ V
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
95 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3000pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
57W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
ISOWATT-218FX
Paquete / Estuche :
ISOWATT218FX
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