IXYS - IXFK88N20Q

KEY Part #: K6411200

IXFK88N20Q Prezos (USD) [8191unidades de stock]

  • 1 pcs$5.56110
  • 25 pcs$5.53343

Número de peza:
IXFK88N20Q
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 200V 88A TO-264.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Finalidade especial ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFK88N20Q Atributos do produto

Número de peza : IXFK88N20Q
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 88A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 146nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4150pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 500W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-264AA (IXFK)
Paquete / Estuche : TO-264-3, TO-264AA

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