SISH129DN-T1-GE3 Prezos (USD) [212224unidades de stock]
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- Número de peza:
- SISH129DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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SISH129DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SISH129DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
14.4A (Ta), 35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
71nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3345pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Temperatura de operación :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® 1212-8SH
Paquete / Estuche :
PowerPAK® 1212-8SH
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