TP65H035WS Prezos (USD) [4802unidades de stock]
- 1 pcs$9.02045
- Número de peza:
- TP65H035WS
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrición detallada:
- GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores: SCRs and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Transphorm TP65H035WS electronic components. TP65H035WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TP65H035WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TP65H035WS Atributos do produto
Número de peza :
TP65H035WS
Fabricante :
Transphorm
Descrición :
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
46.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.8V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1500pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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