IPB60R165CPATMA1 Prezos (USD) [37895unidades de stock]
- 1 pcs$1.03181
- Número de peza:
- IPB60R165CPATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
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IPB60R165CPATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPB60R165CPATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 790µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2000pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
192W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3-2
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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