C2M0080120D Prezos (USD) [5343unidades de stock]
- 1 pcs$7.71225
- Número de peza:
- C2M0080120D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C2M0080120D electronic components. C2M0080120D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C2M0080120D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C2M0080120D Atributos do produto
Número de peza :
C2M0080120D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Serie :
C2M™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
36A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
62nC @ 5V
Vgs (máximo) :
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
950pF @ 1000V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
192W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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