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- Número de peza:
- DMN3052LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN3052LSS-13 electronic components. DMN3052LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3052LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN3052LSS-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMN3052LSS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
7.1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
555pF @ 5V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOP
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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