Número de peza :
BSC109N10NS3GATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
63A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 45µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2500pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
78W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN