IPD60R800CEATMA1 Prezos (USD) [2682unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD60R800CEATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
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IPD60R800CEATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD60R800CEATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
373pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
48W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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