IXYS-RF - IXFH21N50F

KEY Part #: K6398091

IXFH21N50F Prezos (USD) [7890unidades de stock]

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Número de peza:
IXFH21N50F
Fabricante:
IXYS-RF
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 500V 21A TO247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH21N50F Atributos do produto

Número de peza : IXFH21N50F
Fabricante : IXYS-RF
Descrición : MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Serie : HiPerRF™
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2600pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247 (IXFH)
Paquete / Estuche : TO-247-3

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