RS1E320GNTB Prezos (USD) [189237unidades de stock]
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- Número de peza:
- RS1E320GNTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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RS1E320GNTB Atributos do produto
Número de peza :
RS1E320GNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
32A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
42.8nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2850pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3W (Ta), 34.6W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSOP
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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