Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM36C-TAP

KEY Part #: K6440212

BYM36C-TAP Prezos (USD) [256926unidades de stock]

  • 1 pcs$0.14468
  • 12,500 pcs$0.14396

Número de peza:
BYM36C-TAP
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64. Rectifiers 600 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM36C-TAP electronic components. BYM36C-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM36C-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM36C-TAP Atributos do produto

Número de peza : BYM36C-TAP
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Avalanche
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.6V @ 3A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 100ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : SOD-64, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : SOD-64
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

Tamén pode estar interesado
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier

  • SE10FD-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FDHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier