Número de peza :
IDB30E60ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
52.3A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2V @ 30A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
126ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
50µA @ 600V
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO263-3-2
Temperatura de funcionamento: unión :
-40°C ~ 175°C