Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 Ohm @ 5A, 10V
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
75nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1500pF @ 30V
Disipación de potencia (máx.) :
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3PB
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3