Vishay Siliconix - SIUD401ED-T1-GE3

KEY Part #: K6397579

SIUD401ED-T1-GE3 Prezos (USD) [881611unidades de stock]

  • 1 pcs$0.04195

Número de peza:
SIUD401ED-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIUD401ED-T1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIUD401ED-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806
Serie : TrenchFET® Gen III
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 500mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.573 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 2nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 33pF @ 15V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 1.25W (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 0806
Paquete / Estuche : PowerPAK® 0806

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