BVSS123LT1G Prezos (USD) [996497unidades de stock]
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- Número de peza:
- BVSS123LT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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BVSS123LT1G Atributos do produto
Número de peza :
BVSS123LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
170mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
20pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
225mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23-3
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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