SI5855CDC-T1-E3 Prezos (USD) [1980unidades de stock]
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- Número de peza:
- SI5855CDC-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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SI5855CDC-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI5855CDC-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Serie :
LITTLE FOOT®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.8nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
276pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
1206-8 ChipFET™
Paquete / Estuche :
8-SMD, Flat Lead
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