Diodes Incorporated - DMN2501UFB4-7

KEY Part #: K6393950

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Número de peza:
DMN2501UFB4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2501UFB4-7 Atributos do produto

Número de peza : DMN2501UFB4-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 2nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 82pF @ 16V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : X2-DFN1006-3
Paquete / Estuche : 3-XFDFN

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