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- Número de peza:
- NP55N055SDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 55V 55A TO-252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America NP55N055SDG-E1-AY electronic components. NP55N055SDG-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP55N055SDG-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NP55N055SDG-E1-AY Atributos do produto
Número de peza :
NP55N055SDG-E1-AY
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrición :
MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
55A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
96nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.2W (Ta), 77W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252 (MP-3ZK)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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