Vishay Siliconix - SI3473CDV-T1-E3

KEY Part #: K6420967

SI3473CDV-T1-E3 Prezos (USD) [306526unidades de stock]

  • 1 pcs$0.12067
  • 3,000 pcs$0.11355

Número de peza:
SI3473CDV-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-E3 electronic components. SI3473CDV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3473CDV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3473CDV-T1-E3 Atributos do produto

Número de peza : SI3473CDV-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Serie : TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 65nC @ 8V
Vgs (máximo) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2010pF @ 6V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 6-TSOP
Paquete / Estuche : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Tamén pode estar interesado