Infineon Technologies - IPP60R080P7XKSA1

KEY Part #: K6416521

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Número de peza:
IPP60R080P7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP60R080P7XKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IPP60R080P7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Serie : CoolMOS™ P7
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 37A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 590µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2180pF @ 400V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 129W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO220-3
Paquete / Estuche : TO-220-3

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