IXYS - IXFX200N10P

KEY Part #: K6394682

IXFX200N10P Prezos (USD) [9721unidades de stock]

  • 1 pcs$4.68680
  • 30 pcs$4.66349

Número de peza:
IXFX200N10P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX200N10P Atributos do produto

Número de peza : IXFX200N10P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 200A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 7600pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 830W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PLUS247™-3
Paquete / Estuche : TO-247-3