Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
43nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1228pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
3.2W (Ta), 70W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63