Número de peza :
NTD60N02RT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
25V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1330pF @ 20V
Disipación de potencia (máx.) :
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63