IPDD60R050G7XTMA1 Prezos (USD) [16371unidades de stock]
- 1 pcs$2.51737
- Número de peza:
- IPDD60R050G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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IPDD60R050G7XTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPDD60R050G7XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
Serie :
CoolMOS™ G7
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
47A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 800µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2670pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
278W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-HDSOP-10-1
Paquete / Estuche :
10-PowerSOP Module
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