IXYS - IXFX32N90P

KEY Part #: K6394693

IXFX32N90P Prezos (USD) [6607unidades de stock]

  • 1 pcs$6.89498
  • 30 pcs$6.86067

Número de peza:
IXFX32N90P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX32N90P Atributos do produto

Número de peza : IXFX32N90P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
Serie : HiPerFET™, PolarP2™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 32A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 215nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 10600pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 960W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : PLUS247™-3
Paquete / Estuche : TO-247-3