Infineon Technologies - IRLR014NTRPBF

KEY Part #: K6408013

[775unidades de stock]


    Número de peza:
    IRLR014NTRPBF
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 55V 10A DPAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR014NTRPBF Atributos do produto

    Número de peza : IRLR014NTRPBF
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
    Serie : HEXFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 55V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 7.9nC @ 5V
    Vgs (máximo) : ±16V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 265pF @ 25V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 28W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : D-Pak
    Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63