Infineon Technologies - IPL65R1K0C6SATMA1

KEY Part #: K6420129

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Número de peza:
IPL65R1K0C6SATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 8TSON.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPL65R1K0C6SATMA1 Atributos do produto

Número de peza : IPL65R1K0C6SATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 8TSON
Serie : CoolMOS™ C6
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 4.2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 150µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 328pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 34.7W (Tc)
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : Thin-PAK (5x6)
Paquete / Estuche : 8-PowerTDFN