IPB60R099C6ATMA1 Prezos (USD) [27417unidades de stock]
- 1 pcs$1.50321
- Número de peza:
- IPB60R099C6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unión programable and Transistores - JFETs ...
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IPB60R099C6ATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPB60R099C6ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Serie :
CoolMOS™
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
37.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.21mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
119nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2660pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
278W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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